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根據(jù)SEMI標準PV9-1110的非接觸式和無損成像(μPCD / MDP(QSS))、光電導性、電阻率和p/n檢查。
晶圓切割，爐內(nèi)監(jiān)控，材料優(yōu)化等。
日常壽命測量，質(zhì)量控制和檢驗
**產(chǎn)量：>240塊/天或>720片/天
測量速度：對于156x156x400mm標準晶錠，<4分鐘
良品率提升：1mm切割標準為156x156x400mm標準晶錠
質(zhì)量控制：用于過程和材料的質(zhì)量監(jiān)控，如單晶硅或多晶硅
沾污檢測：起源于坩堝和生產(chǎn)設備的金屬(Fe)
可靠性：模塊化和堅固耐用的工業(yè)儀器，更高可靠性，運行時間> 99%
可重復性:> 99.5%電阻率：可做面掃描，不需經(jīng)常校準
精密材料研發(fā)
鐵濃度測定
陷阱濃度測定
硼氧測定依賴于注入的測量等
特性
無接觸和無破壞的半導體檢測
特殊“underneath the surface”壽命測量技術(shù)
對不可見缺陷的可視化測試具有很高靈敏度
自動設置硅錠切割標準
空間分辨p/n電導型變換檢測
暫無數(shù)據(jù)！
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