IBE離子束刻蝕

NIE-3500（M）IBE離子束刻蝕產品概述：該系統為計算機全自動實現工藝控制的緊湊型獨立的立柜式離子束刻蝕系統，具有結構緊湊、功能強大、自動化程度高、模塊化設計易于維護、低成本的優勢。所有核心組件均為國際知名品牌。

NIE-3500（M）IBE離子束刻蝕產品特點：

• 低成本

• 離子束：高達2KV/10mA

• 離子電流密度100-360uA/cm2

• 離子束直徑：4"，5"，6"

• 兼容反應及非反應氣體(Ar， O2， CF4，Cl2)

• 極限真空5x10-7Torr

• 260l/s渦輪分子泵，串接500 l/min干泵

• 14"不銹鋼或鋁質腔體

• 水冷旋轉/傾斜樣品臺(NIE-3500)

• 自動上下載片（NIE-3500）

• 基于LabView軟件的PC計算機全自動控制

• 占地面積30"x30"

NIE-3500（M）IBE離子束刻蝕產品應用：

• 表面清洗

• 表面處理

• 離子銑

• 帶活性氣體的離子束刻蝕

• 光柵刻蝕

• SiO2，Si和金屬的深槽刻蝕

NIE-3500（M）IBE離子束刻蝕Features：

• Low Cost

• Ion Beam: Up to 2KV/10mA

• Ion Current Density 100-360 μA/cm2

• Ion Beam Size: 4”， 5”， 6”

• Compatible with Reactive and Non-Reactive Gases (Ar， O2， CF4，Cl2)

• Base Pressure 5x10-7 Torr

• 260 l/sec Corrosive Turbo Pump with 500 l/min Dry Scroll Pump

• 14” SS or Al Chambers

• Water Cooled Rotating/Tilted Platen (NIE-3500)

• Auto Load and Unload (NIE-3500)

• PC Controlled with LabVIEW Software

• Footprint 30”x30”

NIE-3500（M）IBE離子束刻蝕Applications：

• Surface Cleaning

• Surface Treatment

• Ion Beam Milling

• Ion Beam Etching with Reactive Gases:

  Grating

  Deep Trenches on SiO2， Si and metals