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熱電性能分析系統 ZEM-5
說明:此產品售前技術交流服務和售后技術服務由北京柯銳歐科技負責,確保國內用戶享受到*專業的技術支持!
技術特點:
適用于研究開發各種熱電材料和薄膜材料,提高測量精度
溫度檢測采用C型熱電偶,*適合測量Si系列熱電材料(SiGe, MgSi等) *HT型
真正可測基板上的納米級薄膜(TF型)
**可測10MΩ高電阻材料
標準搭載歐姆接觸自我診斷程序并輸出V/I圖表
基于日本工業標準JIS (熱電能JIS 電阻率JIS R 1650-2)
ZEM-5HT | ZEM-5HR | ZEM-5LT | ZEM-5TF | |
特 點 | 高溫型 | 高電阻型 **電阻:10MΩ | 低中溫型 | 薄膜型 可測在基板上形成的熱電薄膜 |
溫度范圍 | RT-1200℃ | RT-800℃ | -150℃-200℃ | RT-500℃ |
樣品尺寸 | 直徑或正方形:2 to 4 mm2 ; 長度3 ~ 15mm | 成膜基板:寬2-4mm,厚0.4-12mm,長20mm 薄膜厚度:≥nm量級 薄膜樣品與基板要求絕緣 | ||
控溫精度 | ±0.5K | |||
測量精度 | 塞貝克系數:<±7%; 電阻系數:<±7% | |||
測量原理 | 塞貝克系數:靜態直流電; 電阻系數:四端法 | |||
測量范圍 | 塞貝克系數:0.5μV/K_25V/K;電阻系數:0.2Ohm-2.5KOhm/10MΩ | |||
分辨率 | 塞貝克系數:10nV/K;電阻系數:10nOhm | |||
氣 氛 | 減壓He |
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