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脈沖激光沉積系統(PLD)、激光分子束外延設備(L-MBE) 設備簡介:
產地:美國NBM
PLD是將脈沖激光透過合成石英窗導入真空腔內照射到成膜靶上,靶被照射后吸收高密度能量而形成的plume狀等離子體狀態,然后被堆積到設在對面的基板上而成膜。PLD方法可以獲得擁有熱力學理論上準穩定狀態的組成和構造的人工合成新材料。
我司PLD特點:我們PLD系統擁有**的性能價比,具有以下優異的性能:
主真空室腔體直徑18英寸,本底真空可達高真空:9X10E-9 Torr(要用Load-lock)。
主真空室抽氣系統前級泵采用無油干泵
★基片加熱溫度**可達1200℃。
基片臺可360度旋轉(轉速1-20rpm可調)。
★基片與靶之間方位采用靶在下方,基片在上方,均水平放置。基片與靶間距沿Z軸(即垂直地面方向)可調。
6個裝靶的坩堝(或靶盤),各坩堝之間要求相互隔離,不互相污染。
★激光器:Coherent 公司COMPexPro 201:Wavelength: 248 nm (KrF);Pulse Energy:700mJ;Max. Rep. Rate :10 Hz;Energy stability (one sigma) : 1%; Average Power: 5W;Pulse Duration: 25 ns;Beam Dimensions(V×H): 24×10 mm;Beam Divergence(V×H): 3×1 mrad.
★Load Lock System一套(裝樣-送樣系統一套),采用transferengineering公司(Transfer Engineering and Manufacturing, Inc)的,本底真空1×10-5Pa,帶相應的分子泵。同一Load Lock系統既可以傳遞靶又可以傳遞基片,可兩者間切換操作。
設備及光學臺可聯接在一起,始終保持腔體和激光束位置穩定。支撐腿帶可調節的轉輪,方便在地面整體(包括腔體系統和激光器)同時移動與固定。
具體配置: 一, 超高真空腔體
二, 分子泵
三, 激光掃描系統
四, 襯底加熱鉑金片,**可達1200度
五, 基板加熱構造設計
六, 基板加熱電源
七, Rheed
八, Rheed軟件
九, 多靶位 ,標準配置6個1英寸靶
十, Load-Lock樣品傳輸腔體
技術參數:
1. 靶:數量6個,大小1-2英寸,被激光照射時可自動旋轉,靶的選擇可通過步進電機控制。
2. 基板:采用適合于氧氣環境鉑金加熱片,大小2英寸,加熱溫度可達1200攝氏度,溫度差<3%,加熱時基板可旋轉,工作環境**壓力是300mtorr。
3. 基板加熱電源。
4. 超高真空成膜室腔體:不銹鋼sus304材質,內表面電解拋光,本底真空度<5e-7 pa。
5. 樣品傳輸室:不銹鋼sus304材質,內表面電解拋光,本底真空度<5e-5 pa。
6. 排氣系統:分子泵和干式機械泵,進口知名品牌。
7. 閥門:采用超高真空擋板閥。
8. 真空檢測:真空計采用進口產品
9. 氣路兩套:采用氣體流量計(MFC)。
10. 薄膜成長監控系統:采用掃描型Rheed(可差分抽氣)。
11. 監控軟件系統:基板溫度的監控和設定,基板和靶的旋轉,靶的更換。
12. 各種電流導入及測溫端子。
13. 其它各種構造:各種超高真空位移臺,磁力傳輸桿,超高真空法蘭,超高真空密封墊圈,超高真空用波紋管等。
感謝河南師范大學國家重點實驗室, 清華大學先進材料重點實驗室,北京大學微電子系華中科技大學材料學院 使用此研究級高性能的PLD系統, 望我們高性能價格比的PLD為廣大科研人員提供幫助!!
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