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霍爾效應測試儀
霍爾效應測試儀,是用于測量半導體材料的載流子濃度、遷移率、電阻率、霍爾系數等重要參數,而這些參數是了解半導體材料電學特性必須預先掌控的,因此是理解和研究半導體器件和半導體材料電學特性必備的工具。
Hall8800霍爾效應測試儀介紹
該儀器為性能穩(wěn)定、功能強大、性價比高的霍爾效應儀,在國內高校、研究所及半導體業(yè)界擁有廣泛的用戶和知名度。
主要用于量測電子材料之重要特性參數,如載流子濃度、遷移率、電阻率、霍爾系數等,薄膜或體材料均可,其原理主要依據范德堡法則
儀器輕巧方便,易于攜帶,主要用于量測電子材料之重要特性參數,如載流子濃度、遷移率、電阻率、霍爾系數等,薄膜或體材料均可,其原理主要依據范德堡法則。
除了用來判斷半導體材料之型態(tài)(n或p)以外,它也可應用于LED磊晶層的質量判定,也可以用來判斷在HEMT組件中二維電子氣是否形成,此未還可以用于太陽能電池片的制程輔助。
Hall8800可說是一套功能強大、應用廣泛的系統(tǒng),再加上平實的價格, 相信必能受到各界用戶之肯定與愛用。
目前廣泛應有于半導體廠商。
主要特點
1、高精密度電流源
輸出電流之精確度可達2nA,如此微小之電流可用于半絕緣材料之量測,即高電阻值材料之量測。
2、高精密度電表
使用超高精度電表,電壓量測能力可達nV等級,上限可達300V,極適合用于量測低電阻值材料。
3、外型精簡、操作簡單
外型輕巧、美觀大方,磁鐵組之極性更換也很靈活容易,獨特之液氮容器設計,可確保低溫量測之穩(wěn)定性**。
4、I-V曲線
采用圖表的方式,測量探針四點(A、B、C、D)間電流-電壓曲線,藉此評判樣品的歐姆接觸好壞。
5、單純好用之操作畫面
使用者只需在同一張操作畫面中,就可以完成所有的設定,實驗結果由軟件自動計算得到,并在同一張畫面中顯示出來,省卻畫面切換的麻煩,結果可同時得到體載流子濃度(Bulk Carrier Concentration)、表面載流子濃度(Sheet Carrier Concentration)、遷移率(Mobility)、電阻率(Resistivity)、霍爾系數(Hall Coefficient)、等重要實驗數據。
6、自行開發(fā)之彈簧樣品夾具,特殊設計之彈簧探針,其強度加強可改善探針與接觸點之電氣接觸,提高量測之可靠度。
技術參數
磁場強度:0.65T/1T;
常溫和液氮溫度(77K)下測量;
輸出電流:2nA-100mA;
遷移率(cm2/Volt-sec):1-107
阻抗:10-6 to 107
載流子濃度(cm-3):107 - 1021
樣品夾具:
Hall8800彈簧樣品夾具(免去制作霍爾樣品的麻煩);
測量材料:所有半導體材料包括Si,ZnO,SiGe,SiC,GaAs,InGaAs,InP,GaN(N型&P型均可測量)
儀器尺寸(WxDxH):260*220*180 mm
儀器重量:6kg
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