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Post-CMP清洗設備品牌
盛美半導體產地
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在CMP步驟之后，需要在低溫下使用稀釋的化學品進行物理預清洗工藝，以減少顆粒數量。盛美上海的Post-CMP清洗設備能夠滿足這些要求，并提供多種配置，包括盛美上海自主研發的 Smart MegasonixTM先進清洗技術。
在線預清洗設備：
可實現37納米以下少于15個剩余顆粒或28納米以下
20-25個剩余顆粒
金屬污染可控制在1E+8（原子/平方厘米）以內
當配置4個腔體的時候，產能可達每小時35片晶圓
離線預清洗設備：
可實現37納米以下少于15個剩余顆粒或28納米以下
20-25個剩余顆粒
占地面積小
可配置四個裝載端口
占地面積小
可配置四或六個腔體，分別為兩個軟刷和兩個清洗腔體或兩個軟刷和四個清洗腔體
可實現37納米以下少于15個剩余顆粒或28納米以下20-25個剩余顆粒
**產能可達每小時60片晶圓
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