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硒化銦晶體- γ-In2Se3品牌
上海研倍產(chǎn)地
上海樣本
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產(chǎn)品技術參數(shù):
產(chǎn)品名稱 | 硒化銦晶體- γ-In2Se3 |
貨號 | RDB-DJ-171 |
性質(zhì) | 半導體 |
保存條件 | 室溫,密封 |
參數(shù) | 尺寸: >25mm2 >35mm2 >50mm2 |
應用 | 半導體電子器件,光學器件等研究 |
產(chǎn)品規(guī)格:
>25 mm2
>35 mm2
>50 mm2
XRD:
暫無數(shù)據(jù)!
高熵合金(High entropy alloys,HEAs)是由4種或4種以上元素以等摩爾比或近似等摩爾比組成的具有簡單晶體結構的合金。與傳統(tǒng)合金不同,高熵合金沒有主體元素,傾向于形成簡單固溶體結構,