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硒化銦晶體- γ-In2Se3
硒化銦晶體- γ-In2Se3

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型號

硒化銦晶體- γ-In2Se3

品牌

上海研倍

產(chǎn)地

上海

樣本

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上海研倍新材料科技有限公司

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產(chǎn)品技術參數(shù):   

       

產(chǎn)品名稱 硒化銦晶體- γ-In2Se3
貨號 RDB-DJ-171
性質(zhì) 半導體
保存條件 室溫,密封
參數(shù)

 尺寸: >25mm2

            >35mm2

            >50mm2

應用 半導體電子器件,光學器件等研究
  • 產(chǎn)品規(guī)格:

  • >25 mm2

    >35 mm2

    >50 mm2

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高熵合金顯神威,研倍新材助力科技跨越新高度!

高熵合金(High entropy alloys,HEAs)是由4種或4種以上元素以等摩爾比或近似等摩爾比組成的具有簡單晶體結構的合金。與傳統(tǒng)合金不同,高熵合金沒有主體元素,傾向于形成簡單固溶體結構,

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