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| 常規(guī)產品 | |
|---|---|
| 晶面: | {100} |
| 尺寸（長寬）: | 1mm×1mm-20mm×20mm |
| 厚度: | 0.2mm-3mm |
| 橫向公差: | ±0.05mm |
| 表面粗糙度: | 普通（Ra≤5nm）；精拋（Ra≤1nm） |
| 雜質濃度: | N≤5ppm；B & Si小于SIMS檢測下限 |
| XRD FWHM: | 100arcsec；60arcsec；40arcsec（可選） |
| XRD offset: | ＜3° |
| 位錯密度: | ＜10^5/cm |
| 熱導率: | ＞2000 W/m·K |
| 常規(guī)參數 | |
|---|---|
| 拼接方式: | 4個10mm×10mm電子級單晶金剛石襯底拼接 |
| 晶面: | {100} |
| 尺寸（長寬）: | 1mm×1mm-20mm×20mm |
| 厚度: | 0.5mm-2mm |
| 橫向公差: | ±0.05mm |
| 激光切面角度: | ＜0.5° |
| 表面粗糙度: | 普通（Ra ≤5nm）；精拋（Ra ≤1nm） |
| 常規(guī)參數 | ||
|---|---|---|
| 氫終端單晶金剛石外延 | 尺寸: | 1mm×1mm-20mm×20mm |
| 表面粗糙度: | Ra＜2nm | |
| 氧終端單晶金剛石外延 | 尺寸: | 1mm×1mm-20mm×20mm |
| 表面粗糙度: | Ra＜1nm | |
| B摻雜單晶金剛石外延 | B濃度: | 2X10^16-1X10^17/cm3 |
| 薄膜厚度: | 可商議 | |
| 遷移率: | ＞1500 cm2/V·s | |
| 常見產品型號 | 尺寸 | 主要參數 |
|---|---|---|
| DD335 | 3mm×3mm×0.5mm | XRD offset 1°、電子級 |
| DD10105PPV | 10mm×10mm×0.5mm | 雙面精拋、電子級 |
| DD20205P | 20mm×20mm×0.5mm | 單面精拋、電子級 |
| DD40401P | 40mm×40mm×1mm | 常規(guī)單面拋光、電子級 |
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