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微波等離子化學氣相沉積（MPCVD）系統 —— C型品牌
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微波等離子化學氣相沉積（MPCVD）系統 —— C型 一款先進的碟形腔體微波等離子體化學氣相沉積設備，可應用于單晶金剛石和多晶金剛石薄膜、類金剛石薄膜的化學氣相沉積以及材料表面處理、改性及摻雜等相關研究工作。 微波輸入采用下饋的方式，為腔體結構的優化提供了更大的空間。 該設備可以在相對大面積的襯底上進行單晶和多晶金剛石生長，具備平面和非平面金剛石（HDC）的生長能力。其中，單晶金剛石沉積厚度上限不低于6mm，多晶金剛石沉積厚度上限不低于500μm。 |
性能特點：
?采用高效散熱的樣品臺 ?產品沉積速率快、沉積質量高 ?穩定的微波輸入 ?**功率達到10kW ?性能先進，安全、可靠性強、重現性好 ?多參數實時監測、多重聯鎖保護與報警 ?為用戶提供沉積工藝解決方案 |
主要技術參數：
微波源 | 6kW或10kW可選，2.45GHz |
| 反應腔 | 碟形反應腔，可承載微波功率＞10kW |
反應腔打開方式 | 揭蓋式或升降式，可選 |
| 微波饋入方式 | 腔體下方 |
| 微波泄露 | ＜1mW/cm2 |
| 極限真空度 | ＜5×10-4Pa |
| 真空漏率 | ＜5×10-10 Pa·L/s |
| 氣體質量流量控制 | 標配5路，可定制 |
| 工作氣壓 | 0.8kPa - 40kPa |
| 基板臺類型 | 水冷式基板臺 |
| 標準襯底托 | 65mm、75mm、85mm直徑圓臺面積穩定沉積 |
| 樣品臺升降功能 | 有，可選 |
| 樣品臺旋轉功能 | 有，可選；
|
| 非平面（球面）金剛石樣品臺 | 可選 |
| 操作系統 | PLC控制系統 |
| 單次連續工作時間 | ＞300h |
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