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產品概述
導電型碳化硅襯底是導電型碳化硅晶體經過切割、研磨、拋光、清洗等工序加工形成的單晶薄片。單晶襯底薄片作為第三代半導體的重要原材料，經過同質外延生長、晶圓制造、封裝檢測等環節，可制成碳化硅基功率器件，是第三代半導體產業發展的重要基礎材料。為滿足客戶對小尺寸產品的多樣化需求，我們依舊保留部分4英寸及以下小尺寸產品的產能，確保供應無憂。
車規級（Z級）
研發型（D級）
| 直徑 | 99.5 mm-100.0 mm | |
| 晶型 | 4H | |
| 厚度 | 350 μm±15 μm | |
| 晶片方向 | 偏轉角度：向<11-20>偏轉 4.0° ± 0.5° | |
| 微管密度 | ≤ 0.2 cm-2 | |
| 電阻率 | 0.015-0.024 Ω·cm | |
| 主定位邊方向 | 平行于{10-10} ±5.0° | |
| 主定位邊長度 | 32.5 mm ± 2.0 mm | |
| 次定位邊長度 | 18.0 mm ± 2.0 mm | |
| 次定位邊方向 | 硅面朝上：從主定位邊順時針旋轉 90° ± 5.0° | |
| 邊緣去除 | 3 mm | |
| 局部厚度變化/總厚度變化/彎曲度/翹曲度 | ≤2.5 μm/≤5 μm/≤15 μm/≤30 μm | |
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