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碳化硅(SiC)是Ⅳ-Ⅳ族二元化合物, 也是元素周期表Ⅳ組元素中**的穩定固態化合物, 是一種重要的半導體材料。 它具有優良的熱學、力學、化學和電學性質, 不僅是制作高溫、高頻、大功率電子器件的優質材料之一,也可以用作基于GaN的藍色發光二極管的襯底材料。目前用于襯底的碳化硅以4H為主,導電類型分為半絕緣型(非摻、摻雜)與N型。
常用規格:
4H-N型碳化硅晶片
尺寸:2英寸直徑50.8mm | 4英寸直徑100mm | 6英寸直徑150mm
晶向:off axis 4.0? toward <1120> ± 0.5?
電阻率:<0.1 ohm.cm
表面粗糙度:Si面 CMP Ra <0.5nm, C面 Ra <1 nm
4H-半絕緣型碳化硅晶片
尺寸:2英寸直徑50.8mm | 4英寸直徑100mm | 6英寸直徑150mm
晶向:on axis {0001} ± 0.25?
電阻率:>1E5 ohm.cm
表面粗糙度:Si面 CMP Ra <0.5nm, C面 Ra <1 nm
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