中國粉體網訊 近年來，以碳化硅為代表的寬禁帶半導體器件，受到了廣泛的關注。碳化硅材料具有3倍于硅材料的禁帶寬度，10倍于硅材料的臨界擊穿電場強度，3倍于硅材料的熱導率。因此碳化硅功率器件適合于高頻、高壓、高溫等應用場合，且有[更多]
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