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電子束曝光指利用聚焦電子束在光刻膠上制造圖形的工藝,是光刻工藝的延伸應用。電子束曝光系統是實現電子束曝光技術的硬件平臺，系統的性能決定了曝光工藝關鍵尺寸、拼接和套刻精度等指標。

金竟科技完成了電子束曝光工藝和設備核心部件的技術突破，率先在中國推出自主創新、品質可控、性能優異的電子束曝光系統整機設備：Pharos 310。電子束曝光系統中多項關鍵技術指標達到國際一流水平，實現了電子曝光設備國產替代、自主可控的發展目標。

Pharos 310可在4寸基片上曝光<20nm關鍵特征尺寸。利用Pharos310系統可輕松曝光復雜版圖，是實驗室條件下進行亞微米至納米級別光刻技術研發的利器。

電子束曝光系統應用領域

· 半導體制造：用于制造集成電路、芯片等半導體器件。

· 納米技術研究：在納米材料、納米器件的研發中發揮重要作用。

· 光學領域：制作光子晶體、光波導、調制器、超表面等光學元件。

· MEMS（微機電系統）：制造納米結構等。

· 生物芯片：用于生物芯片的制作。

· 材料科學：研究材料的表面性質、結構等。

· 量子技術：在量子計算、量子通信等領域的研究和開發中得到應用。

電子光學參數

· 電子發射源：采用肖特基發射源，使用壽命不低于1500小時

· 加速電壓：200eV-30 keV

· 電子束束流：5pA-200nA

· 電子束束斑尺寸：≤2.0nm@30keV

· 寫場速度：**可達到20MHz pixel frequency

· **寫場尺寸：500μm×500μm

· 分辨率(*小線寬)：≤20nm*

· 拼接精度：≤±50nm(mean+3σ)

· 套刻精度：≤±50nm(mean+3σ)

· 樣品臺移動范圍：100mm

· 可加工樣品的**尺寸：4英寸晶圓

標準配置

· 采用激光干涉儀定位樣品臺

· 由送樣開始至樣品室真空達到可以工作的時間不多于10分鐘

· 采用自動進樣系統,進樣過程中無需人為干涉,配置有光學導航系統

· 采用Windows操控系統，在硬件允許的情況下，終身免費升級

· 提供 UPS 不間斷電源(一臺)

· 具備主動-被動集成式減振系統,保證電子束曝光系統的整體穩定性。

*工藝：光刻膠PMMA950KA2；光刻膠厚度60nm