中國粉體網(wǎng)訊 春節(jié)期間,央視新聞報(bào)道了中科院物理研究所科研團(tuán)隊(duì)們正在探索用一種新的方法生長碳化硅晶體的新聞。據(jù)了解,與傳統(tǒng)方法不同,該4英寸的碳化硅晶體采用的是最新的液相法生長而成。碳化硅單晶生長方法探索歷程SiC半導(dǎo)體行業(yè)[更多]
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