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隨著科技的不斷進步，半導體晶圓作為現代電子工業的核心部件，其加工工藝與材料制備技術日益受到關注。

本文將探討光刻膠、拋光液、鋯鈦酸鉛等關鍵半導體晶圓制備材料的制備工藝和方法。

并著重闡述博億研磨與分散設備在這些材料制備過程中的重要作用及其技術亮點。

01

關鍵半導體材料的制備工藝簡述

光刻膠色漿：光刻膠色漿的制備是一個涉及復雜化學反應和精細工藝控制的過程。

首先，根據預設配方，將顏料、分散劑、溶劑等原料混合，形成初步混合物。

隨后，該混合物被置于博億砂磨機中，經過研磨分散，使粒子達到所需的粒度分布。

在嚴格控制的溫度和攪拌條件下，進行化學反應，確保各組分充分反應，形成均勻的光刻膠溶液。

為了進一步優化粒子細度和分散性，混合物還需經過高壓微射流均質分散處理。

之后，通過濾芯對研磨和均質分散后的漿料進行過濾，去除大顆粒、金屬離子等污染物，以確保光刻膠的純凈度。

光刻膠用色漿的粒徑大小、粒徑分布、均一性等因素對光刻膠性能以及后續工藝起著重要作用。

在此過程中，博億砂磨機發揮著關鍵作用，它精準控制機械強度。

有效防止機械能不足難以解開團聚或機械能過大對粒子造成二次損傷，從而確保成品粒徑分布窄、均一性好。

拋光液：拋光液的制備包括原材料、拋光助劑、溶劑以及納米研磨粒子等關鍵成分。

拋光液磨料的粒徑大小和形狀對CMP工藝的效果具有至關重要的影響。

博億砂磨機憑借其專利渦輪研磨系統，能夠將拋光液磨料研磨至納米級別，且生產出的磨料形狀規則、均一性好。

這使得經過CMP工藝生產出來的半導體晶圓表面更加平整、光滑，提升了拋光效果和產品質量。

鋯鈦酸鉛：鋯鈦酸鉛的濕法研磨工藝是一個精細的過程，它首先將高純度的氧化鉛、二氧化鋯和二氧化鈦按精確比例混合。

并與適量的溶劑一同放入砂磨機中進行長時間的研磨，以確保獲得粒度細小且分布均勻的粉末。

在此過程中，研磨時間、轉速和溶劑比例的控制至關重要。

隨后，通過過濾、洗滌和干燥步驟去除雜質并干燥粉末。為了改善粉末的流動性和成型性能，還需進行造粒處理。

02

優化制備工藝，打造穩定半導體晶體

在半導體晶體的制備過程中，對設備參數和制備工藝的精準控制是確保最終產品質量與性能穩定的關鍵所在。

作為業界領先的研磨與分散解決方案提供商，博億深知其中的重要性。

并積極通過技術創新和服務優化，幫助企業實現更穩定、高效的半導體晶體生產。

圖為：誠邀您蒞臨Semicon Taiwan半導體博億展位：Booth:13126，展覽時間2024年9月4-6日

除了設備參數的控制，制備工藝的優化也是提升半導體晶體質量的關鍵。

博億通過深入研究和實踐，積累豐富的制備工藝優化經驗。

我們不僅提供先進的研磨與分散設備用于研發半導體晶圓，還根據企業的具體需求，量身定制個性化的制備方案和工藝，幫助企業有效提升產品的整體質量。