江蘇先豐納米材料科技有限公司
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貨號 | CAS號 | 編號 | 包裝 | 參數(shù) |
101029 | 1317-33-5 | XF163 | 1 盒 | 基底尺寸: 8 mmx6 mm |
產(chǎn)品名稱
中文名稱: CVD氧化硅/硅基底單層二硫化鉬
英文名稱:Single Layer MoS2 on SiO2/Si
性質(zhì)
形態(tài):薄膜
參數(shù)
基底:二氧化硅/硅
基底尺寸:8 mm*6 mm
氧化層:300nm
片徑范圍:20-50 μm
厚度:0.6~0.8 nm
應用
先豐納米**推出CVD法制備的單層二硫化鉬,相比較鋰插層制備的單層二硫化鉬,該產(chǎn)品具有缺陷少,層數(shù)可控,優(yōu)異的光學性質(zhì),是研究層數(shù)和熒光效應和制備器件的優(yōu)異材料,歡迎咨詢。
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企業(yè)名稱
江蘇先豐納米材料科技有限公司企業(yè)類型
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913201065628687681法人代表
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