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Part 1 引言

2023 年 11 月 15 日，Technoorg Linda 首席執行官(CEO) András Szigethy 來訪中國，與復納科技團隊進行了一場深入的交流會議。本次會議交流內容聚焦于產品培訓、技術支持、市場推廣、業務拓展等關鍵議題，使雙方更好地理解了彼此的需求和期望，促進了雙方合作關系的深化。

在本次面對面的交流會議中，András 為復納科技團隊提供了專業的產品培訓和技術支持，有效地傳遞了產品信息和技術細節。他的到訪不僅加速了團隊對 Technoorg Linda 系列產品的理解，也為復納科技在中國市場推廣和業務拓展開辟了新的機遇。

Part 2 Technoorg Linda 與復納科技

關于 Technoorg Linda

Technoorg Linda 總部位于匈牙利布達佩斯， 由 D. Szigethy, Prof. á. Barna, Prof. N. Kroo 和 Prof. A. M. Prohorov ( 1964 年獲諾貝爾獎) 創建于 1990 年，是一家專注于科學實驗室設備制造的領先企業。

Technoorg Linda

總部大樓

Technoorg Linda 致力于研發和生產高性能的樣品制備設備，為電子顯微鏡領域的科學家們提供優質的實驗室支持和技術解決方案。其產品涵蓋了 SEM/TEM/FIB 樣品制備所需的關鍵設備，可用于樣品準備、離子加工和表面精細。產品廣泛應用于各種科學研究領域，幫助科研人員更好地理解和探索微觀世界的奧秘。

關于復納科技

復納科技創立于 2012 年，一直致力幫助海外頂尖高科技儀器廠商在中國市場搭建完善的服務與售后體系，助力中國用戶科研創新、工業升級。作為 Technoorg Linda 在中國市場的獨家代理商，我們為客戶提供全方位的產品培訓、技術支持和售后服務。當前在國內市場專注于引進并推廣 SEM/TEM/FIB 樣品制備系列設備。其中，Gentle Mill 離子精修儀主要用于改善 FIB 處理后的樣品，UniMill 離子減薄儀主要用于透射電鏡(TEM)樣品制備，SEMPrep2 離子研磨儀主要用于掃描電鏡 (SEM)樣品制備。

01.Gentle Mill 離子精修儀

Gentle Mill 離子精修儀專為最終拋光、精修和改善 FIB 處理后的樣品而設計。非常適合要求樣品無加工痕跡、表面幾乎沒有任何損壞的 XTEM、HRTEM 或 STEM 的用戶。

1.1 產品介紹

Gentle Mill 離子精修儀

FIB 系統主要用于制備 TEM 橫截面樣品薄片。與更傳統的方法相比，FIB 的優點包括高通量、高精度、較少優先減薄和大的電子透明區域。然而，FIB 的主要缺點是能量相對較高的 Ga+ 離子會導致受損層（如非晶或注入），該層可能會延伸到材料中數十納米。因此，FIB 制備的 TEM 樣品不太適合高性能的 (S)TEM、HRTEM、HRSTEM 分析和高空間分辨率的 EELS 和 EDX 研究。

Gentle Mill 離子精修儀使用優異的獨家熱陰極低能離子槍做為離子束源。離子束的低角度、低能量保證了表面損傷和離子束誘導非晶化效應的最小化。非常適用于 FIB 樣品的清潔和最終拋光，可無損去除薄片形成過程中 FIB 產生的受損層，也可進一步減小樣品厚度。

1.2 離子槍參數

低能離子槍（固定型）

? 離子能量：100 eV - 2 keV，連續可調

? 在 2 keV 離子能量和 30° 入射角下，c-Si 的研磨速率為 28 μm/h

? 離子電流密度：最大 10 mA/cm2

? 離子束流：7 - 80 μA，連續可調

1.3 應用案例

圖注：C 面藍寶石 FIB 薄片，Gentle Mill 的低能離子源有效消除所有非晶層和損壞層。

圖注：上圖為原始 FIB  (30 kV) 處理薄片；下圖為經過 Gentle Mill (300 eV) 處理的薄片。Si-SiGe 多層異質結構樣品兩側均使用 Gentle Mill 處理 2 分鐘，以去除 FIB 薄片制備產生的非晶層。在 FIB 薄片的邊緣處可以看到非晶層厚度明顯減少。

圖注：GaSb/InAs 超晶格。使用 Gentle Mill 制備樣品：在 2 keV 下減薄直至穿孔，然后在 1 keV 下修整，最后在 300 eV 下精修。 

同時，第三代 Gentle Mill 采用簡單便捷的圖形界面，可進行全電腦控制。所有切削參數，包括離子槍設置、氣流控制與其他 參數（如樣品運動和傾斜角度、穿孔檢測）的設置，都可以存儲或以任意步驟進行預編程。這種全自動功能實現了在最少的人工干預下制備高質量的樣品的功能。

02.Unimill 離子減薄儀

UniMill 離子減薄儀專為快速地制備具備高減薄率的、高質量的 TEM/XTEM 樣品而設計。Unimill 既可以使用全新升級的超高能離子槍進行快速研磨，也可以使用專用的低能離子槍進行最終拋光和精修處理。

2.1 產品介紹

Unimill 離子減薄儀

UniMill 離子減薄儀適用于研究新型材料或探索新型樣品制備方法的用戶，由于設備具有極高的研磨速率，也非常適合用于低濺射率的材料，如金剛石、藍寶石等。通過低能離子槍轟擊獲得無人工痕跡樣品，這為技術科學和材料研究領域探索合成材料和天然材料的真實納米結構提供了獨特的機會。

2.2 離子槍參數

超高能離子槍（可選）：

? 離子束能量：高達 16 keV，連續可調

? 離子束電流：高達 500 μA

高能離子槍（標配）：

? 離子束能量：高達 10 keV，連續可調

? 離子束電流：高達 300 μA

低能離子槍：

? 離子束能量：100 eV - 2 keV，連續可調

? 離子束電流：7 - 80 μA

2.3 應用案例

001 GaN 平面視角樣品的 TEM 圖像。使用高能離子槍研磨后，樣品通過 300 eV 的低能離子槍進行精細處理。

03. SEMPrep2 離子研磨儀

SEMPrep2 離子研磨儀可配備高能量、低能量兩支離子槍,為傳統 SEM 樣品和 EBSD 樣品的最終拋光和精細處理提供高質量解決方案。

3.1 產品介紹

SEMPrep2離子研磨儀

離子研磨儀配備超高能量離子槍，可進行快速截面剖削，為半導體工業、材料科學、地質學或其他學科和工業應用提供優異的 SEM 樣品剖面。同時，也可用于改善和精細處理機械拋光后的 SEM 樣品，并為 EBSD 測量制備無損傷表面。最后，也可配備低能離子槍用于易脆易損傷樣品表面更細微的溫和處理。

3.2 離子槍參數

? 全新升級的超高能離子槍：加速電壓高達 16 keV，加速電壓連續可調。

? 專用低能離子槍：100 eV 至 2 keV （可選配）。

3.3 應用案例

離子束截面剖削

為 SEM/EBSD 成像和微量分析制備各種材料的高質量樣品橫截面。

Sn-Ag 焊球的柵格陣列 (BGA)

金屬線鍵合

離子束表面拋光

制備用于電子背散射衍射(EBSD)研究和取向成像顯微分析法(OIM)的樣品。

銅

鎳

Part 3 聯系我們

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