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Rpo-6型號(hào)拋光機(jī)
主要特點(diǎn)
技術(shù)
化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）是用來(lái)對(duì)正在加工中的晶片或其他物料進(jìn)行平坦化處理的過(guò)程，而拋光技術(shù)則是利用了物理和化學(xué)的協(xié)同作用對(duì)晶片進(jìn)行的拋光，通過(guò)給儲(chǔ)存在拋光片里樣本的底座一個(gè)加載力而完成的，當(dāng)包含了研磨劑和活性化學(xué)劑兩種成分的拋光液通過(guò)底部時(shí)，拋光墊和樣本開(kāi)始計(jì)數(shù)旋轉(zhuǎn)。
原位摩擦
該儀器通過(guò)測(cè)量原位摩擦和磨損程度來(lái)研究基本的拋光技術(shù)，而摩擦的變化則可用來(lái)描述移除率的近似值。
原位墊片磨損
原位磨損率則可用來(lái)反應(yīng)在拋光，調(diào)節(jié)等情況下墊片的狀態(tài)。
狀態(tài)
原位和非原位調(diào)節(jié)
晶片尺寸
易于替換的晶片夾具可在同一測(cè)試儀上進(jìn)行拋光樣品的尺寸由1英寸至6英寸。
泵
獨(dú)立的可編程泵可提供泥漿，水以及其他的化工產(chǎn)品。
消耗品和相關(guān)咨詢(xún)
我們所提供的標(biāo)準(zhǔn)拋光材料里包含的不僅僅是儀器還有一系列的消耗品(拋光液、拋光墊等)，與此同時(shí)，我們科學(xué)團(tuán)隊(duì)也會(huì)為您提供有關(guān)工藝流程開(kāi)發(fā)和優(yōu)化的咨詢(xún)服務(wù)。
規(guī)格
人工晶片裝載
臺(tái)式CMP研發(fā)系統(tǒng)
l原位和非原位調(diào)節(jié)
l使用可編程泵的泥漿和水管
l高硬度和良好的力控制
l340mm的滾筒直徑
l6英寸的樣本
l原位摩擦和墊片磨損選
l打印尺寸 w870x，d800x，h870mm
l應(yīng)用程序—CMP，MEMS，消耗品測(cè)試
應(yīng)用
拋光
工藝開(kāi)發(fā)
環(huán)境開(kāi)發(fā)
拋光液開(kāi)發(fā)
拋光墊表征
粒子開(kāi)發(fā)
暫無(wú)數(shù)據(jù)！
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