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凹坑儀設備建立了TEM樣品制備機械預減薄的標準。其凹坑方法已經成功運用于許多不同的材料,如硅、鎵砷化合物、鍺、藍寶石、氧化物、碳化物、硼化物、硅化物、玻璃、多相材料、Ⅲ-Ⅴ半導體、鋁合金、陶瓷、碳和碳復合物。
規格:
- 大小
長 27" (68.6 cm) 寬 14" (35.6 cm)
高 13" (33.0 cm) 重 70 磅 (32 kg)
- 公差
電子:
Z 偏移量:精確1μm
范圍:2000 μm
工具速度:100 to 600 RPM, 恒速
樣品壓盤轉速:10 RPM, 恒速
1 把樣品臺放到加熱臺上,加熱5分鐘后加少許石蠟,粘上樣品;
2 使用Gatan623手動研磨盤,在1000號的砂紙上,將樣品研磨至80μm左右;
3 將粘有樣品的圓柱臺放在凹坑儀上,啟動TABLE馬達,在顯微鏡下調整樣品臺位置,對樣品定位對中;
4 加20 g的配重載荷,選擇中等打磨速度,裝上研磨輪,并小心地把磨輪降到樣品臺沒有樣品的地方,逆時針旋轉微米進程驅動器,使刻度盤指示器的指針轉滿一 整圈后剛好停在零點位置;按下ZERO,設置零點;
5 旋轉升降凸輪,把研磨輪放到樣品表面上:刻度盤指示器顯示樣品材料和固定蠟的總厚度;
6 用竹簽放入少量6μm金剛石研磨膏到銅研磨輪和樣品上,加蒸餾水潤滑;同時開啟兩個馬達開始研磨,研磨過程需隨時加蒸餾水潤滑;
7 研磨完畢后,在輪軸上換上3μm拋光輪,徹底清除掉樣品上殘留的研磨膏, 把樣品臺放回磁轉盤上,用顯微鏡對中;調節載荷和轉速,降下拋光輪對樣品 進行粗拋光;
8 取下樣品臺,把粗拋光過程中殘留的拋光膏完全沖掉;換上新的拋光輪, 使用粒度為0.05μm的氧化鋁拋光膏繼續拋光,需隨時觀察、加蒸餾水潤滑;
9 拋光完畢后,沖洗拋光輪,擦拭輪軸;用棉簽清潔、沖洗樣品;
10 將樣品連同樣品臺同時放入丙酮溶液中,待樣品自行脫落后取出樣品。
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