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氮化鎵GaN
提供氮化鎵晶片定制加工服務
GaN氮化鎵晶片常用于發光二極管的二元Ⅲ/V直接帶隙半導體。該化合物是一種非常堅硬的材料，具有纖鋅礦晶體結構。其3.4eV的寬帶隙為光電，高功率和高頻器件的應用提供了特殊的性能。例如，GaN是使紫色(405nm)激光二極管成為可能的基板，而不使用非線性光學倍頻。它對電離輻射的敏感性很低(與其他Ⅲ族氮化物一樣),使其成為衛星太陽能電池陣列的合適材料。由于設備在輻射環境中表現出穩定性，因此軍事和太空應用也可能受益。由于GaN晶體管可以在更高的溫度下工作，并且工作電壓比砷化鎵(GaAs)晶體管高得多，因此它們可以在微波頻率下制造理想的功率放大器。此外，GaN為THz器件提供了有前景的特性。
尺寸：2-6寸
晶向：C平面（0001）朝向M軸的偏離角0.35°±0.15°
表面：拋光
厚度(um)：350±25
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