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砷化稼晶片
可提供高質量砷化鎵襯底片GaAs wafer定制服務。
尺寸：1",2",3",4",6";
晶向：(100),(111)和偏2°、4°、6°、10°、16°等各種偏角；
類型：N-type摻Si,P- type摻Zn,半絕緣Undope;
厚度：100um、120um、350um、400um、500um、600um、625um;
提供“激光領域”用高質量超薄雙拋GaAs;提供光學透過可用的雙拋半絕緣GaAs;
提供高質量低位錯的EPD<500、<300、<100、<50的高質量LD級外延用GaAs;
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