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NDR-4000 (A)全自動(dòng)DRIE深反應(yīng)離子刻蝕
NDR-4000 (A)全自動(dòng)DRIE深反應(yīng)離子刻蝕

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DRIE深反應(yīng)離子刻蝕

NDR-4000(A)全自動(dòng)DRIE深反應(yīng)離子刻蝕概述:全自動(dòng)上下載片,帶低溫晶圓片冷卻和偏壓樣品臺(tái)的深硅刻蝕系統(tǒng),帶8" ICP源。系統(tǒng)可以配套500L/S抽速的渦輪分子泵,可以使得工藝壓力達(dá)到幾mTorr的水平。在低溫刻蝕的技術(shù)下,系統(tǒng)可以達(dá)到硅片的高深寬比刻蝕。

NDR-4000(A)全自動(dòng)DRIE深反應(yīng)離子刻蝕主要特點(diǎn):

  • 基于PC控制的緊湊型立柜式百級(jí)DRIE深硅刻蝕系統(tǒng),擁有高縱橫比的刻蝕能力;

  • 配套Lab View軟件,菜單驅(qū)動(dòng),自動(dòng)記錄數(shù)據(jù);

  • 觸摸屏監(jiān)控;

  • 全自動(dòng)系統(tǒng),帶安全聯(lián)鎖;

  • 四級(jí)權(quán)限,帶密碼保護(hù);

  • 自動(dòng)上下載片;

  • 帶Load Lock預(yù)真空鎖;

  • He氣背面冷卻,-60攝氏度的低溫樣品夾具;

  • 高達(dá)-1000V的外部偏壓;

  • 渦輪分子泵 + 渦旋干泵;

  • 可以支持DRIE和RIE兩種刻蝕模式;

  • 實(shí)時(shí)顯示真空、功率、反射功率圖表,以及流量實(shí)時(shí)顯示;

NDR-4000(A)全自動(dòng)DRIE深反應(yīng)離子刻蝕配置內(nèi)容:

  • 外觀尺寸:緊湊型立柜式設(shè)計(jì),不銹鋼腔體,外觀尺寸為28(W) x 42(L) x64(H);

  • 等離子源:NM ICP平面等離子源,帶淋浴頭氣體分布系統(tǒng)。等離子源安裝在腔體頂部,通過ISO250的法蘭連接;

  • 處理腔體:13”圓柱形鋁質(zhì)腔體,自動(dòng)上下載片,**支持6”(可以升級(jí)腔體支持更大基片)。腔體帶有2”的觀察窗口。腔體頂部的噴嘴式氣流分配裝置,提供8”區(qū)域的氣體均勻分布。系統(tǒng)帶暗區(qū)保護(hù)。

  • 樣品臺(tái):6的托盤夾具,能夠支持6的Wafer。可以冷卻到-120攝氏度(包含LN2循環(huán)水冷系統(tǒng)),并采用He氣實(shí)現(xiàn)背部冷卻和自動(dòng)鎖緊,微精細(xì)地控制He氣流量,包含氣動(dòng)截止閥;

  • 流量控制:支持5個(gè)或更多的MFC’s 用于硅的深度刻蝕,帶氣動(dòng)截止閥,所有的慢/快通道采用電磁閥和氣動(dòng)閥控制,電拋光的不銹鋼氣體管路帶有VCRVCO(壓控振蕩器)配件,所有導(dǎo)管以盡可能短的導(dǎo)軌密封設(shè)計(jì),從而減低空間浪費(fèi)并達(dá)到快速的氣路切換。所有處理氣體的管路在處理結(jié)束后,采用N2自動(dòng)沖洗

  • 真空系統(tǒng):泵組包含渦輪分子泵和旋葉真空泵。

  • RF電源:13.56MHz,帶自動(dòng)調(diào)諧功能的1000W射頻電源,作為ICP源。另外,帶自動(dòng)調(diào)諧功能的600W射頻電源用于基臺(tái)偏壓。

  • 操作控制:整個(gè)系統(tǒng)通過預(yù)裝的Lab View軟件和觸摸監(jiān)控系統(tǒng),實(shí)現(xiàn)PC全自動(dòng)控制。MFC,閥和頂蓋都是氣動(dòng)式的,都可PC控制。系統(tǒng)的實(shí)時(shí)壓力和直流自偏壓以圖表格式顯示,而流量和功率則以字母數(shù)字形式顯示。系統(tǒng)提供密碼和安全連鎖機(jī)制的四級(jí)權(quán)限控制。

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