非金屬電熱元件：
其他金屬電熱元件：
其他燒結氣氛：
其他溫控精度：
±1℃最高溫度：
1200℃額定溫度：
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CVD石墨烯生長爐專門針對于用在金屬箔上生長薄膜物質，如石墨烯、使用時把金屬箔附在內管上。其**工作溫度可以達到1200℃，專門針對于用CVD化學氣相沉積方法在金屬箔上生長薄膜物質，如石墨烯、太陽能電池的電極材料和電池電極材料等。
石墨烯生長爐由HTTF1200真空管式爐+真空系統+供氣系統+水冷系統組成 ，**溫度可以達到1200度,可以是單溫區、雙溫區、三溫區等，極限真空可以達到10-3Pa，供氣系統是流量調節可以是質子流量計或浮子流量計，混氣路數可以是2路、3路、4路、5路相混合。
石墨烯生長爐是一種特殊的CVD系統(化學氣相沉積系統)，是專門為在金屬箔（像銅箔、鋁箔等）上生長薄膜而設計，廣泛應用在新一代能源關于柔性金屬箔電極方面的研究上，特別適用于碳納米管、碳納米線、石墨烯的生長。
HTTF-1200真空管式爐采用摻鉬合金加熱絲為加熱元件，采用雙層殼體結構和宇電控溫儀表，能進行30段程序控溫，移相觸發、可控硅控制，爐膛采用日本進口氧化鋁多晶纖維材料，具有溫場均衡、表面溫度低、節能等優點。
真空管式爐軟件控制系統：該爐配有通訊接口和軟件，可以直接通過電腦控制爐子的各個參數，并能從電腦上觀察到爐子上PV和SV溫度值和儀表的運行情況，爐子的實際升溫曲線電腦會實時繪出，并能把每個時刻的溫度數據保存起來，隨時可以調出。
產品名稱 | 石墨烯生長爐（納米管生長爐） |
產品型號 | HTTF-1200-CVD |
管式爐 | |
加熱區長度 | 440mm |
恒溫區長度 | 150 (+/-1 ℃) |
工作溫度 | 1100℃（此溫度為長期加熱溫度） |
**溫度 | 1200℃ |
爐管尺寸 | Φ60×1440mm |
等離子射頻電源 | |
輸出功率 | 5 ～500W ± 1% . |
射頻頻率 | 13.56 MHz ±0.005% . |
反射功率 | **約200W |
阻抗匹配 | 自動 |
真空泵機組（雙極旋片泵） | |
真空度 | 10-3torr |
波紋管 | KFD25 快接，不銹鋼波紋管，手動擋板閥與法蘭，真空泵相連. |
質量流量計 | |
四通道控制 | 精度0.02% 、數字顯示、自動控制、 一個混氣罐、底部裝有泄廢液口 |
MFC 1范圍 | 0~100 sccm |
MFC 2和3 | 0~500 sccm |
進氣接口 | 1/4NPS |
出氣接口 | 1/4NPS |
水冷系統 | |
水冷法蘭要求 | 水流量 >= 10L/M ，配有專業水冷機組 |
石墨烯生長爐標準配件：
質子混氣系統1臺、雙旋機械泵1臺、水冷系統1臺、K型熱電偶1支、氣煉石英爐管1根、不銹鋼法蘭1套、不銹鋼爐鉤1、剛玉爐塞2對、高溫手套1副、剛玉坩堝2個、說明書1份.
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