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μMLA桌面無掩模光刻機
| 直寫模式I* | 直寫模式II* | |
| 寫入性能（光柵掃描和矢量曝光模式） | ||
| *小結構尺寸 [μm] | 0.6 | 1 |
| *小線寬/線隙 [半寬， μm] | 0.8 | 1.5 |
第二層對準 大于 5 x 5 mm2 [3σ， nm] | 500 | 500 |
第二層對準 大于 50 x 50 mm2 [3σ， nm] | 1000 | 1000 |
| 直寫性能光柵掃描曝光模式 | ||
| 線寬變代 [3σ， nm] | 200 | 300 |
| 直寫速率 MAX [mm2/min] | 10 | 30 |
可選“可變分辨率光柵掃描曝光模塊”的寫入速度(UMVAR)， 適用于不同*小結構尺寸。 | 10 mm2/min at 0.6 μm | 30 mm2/min at 1 μm |
20 mm2/min at 1 μm | 60 mm2/min at 2 μm | |
25 mm2/min at 2 μm | 100 mm2/min at 4 μm | |
| 矢量曝光模式的直寫寫性能 | ||
| 矢量模式下的地址網格 [nm] | 20 | 20 |
| 邊緣粗糙度 [3σ， nm] | 30 | 50 |
| 線寬變化 [3σ， nm] | 70 | 80 |
| 線性直寫速率MAX | 200 mm/s | 200 mm/s |
| 系統參數 | ||
| 襯底尺寸MAX | 5″ x 5″ | 5″ x 5″ |
| *小襯底尺寸 | 5 mm x 5 mm | 5 mm x 5 mm |
| 基板厚度 | 0.1 to 12 mm | 0.1 to 12 mm |
| 光柵掃描模塊 | 矢量曝光模塊 | |
| 光源 | LED; 390 nm or 365 nm | Laser; 405 nm and/or 375 nm |
系統尺寸(光刻單元)
| μMLA | Width | Depth | Height | Weight |
| 主機 | 630 mm (25″) | 800 mm (31.5″) | 530mm (21″) | 100 kg (220 lbs) |
| 可選配防振表 | 1400mm (55″) | 700 mm (28″) | 750 mm (30″) | 350 kg (770 lbs) |
無掩模光刻機于2015年**推出。從那時起，先進的無掩膜技術已經確立。μMLA提供了新一代的桌面激光光刻工具: 配置設置精確到您的需要與光柵掃描和矢量掃描模式(或兩者)和可變分辨率的記錄磁頭。
在許多應用中，傳統的光掩膜已經成為過去，因為你的設計文件是通過二維空間光直接暴露在電阻涂層晶圓上的調制器(SLM)。μMLA是MLA100的直接繼承者，是“小”MLA150，是我們先進的無掩模對準器的兄弟，它是許多多用戶設備、納米制造實驗室和國家研究所中值得信賴、不可或缺的主力。
在我們全新的入門級系統μMLA的開發過程中，我們引入了諸如可變解決方案等新特性，并創建了一個靈活且高度可定制的桌面系統。當然，小樣本處理很簡單。μMLA功能保留以前桌面系統的優點，同時提供更多的選擇和更高的性能。
應用包括研究和發展的領域，如MEMS，微流體，微光學和所有其他領域，負擔得起，緊湊，和強大的模式基因rator微結構是必需的。
APPLICATIONS 應用程序
微光學:二元衍射光學元件。設計由1個μm2正方形組成。
μMLA提供了一個標準的灰度模式，這可以制造低創造的微鏡頭。防蝕膠：15 μm厚AZ4562。節距30 μm，曲率半徑16 μm。
CUSTOMIZE YOUR μMLA 定制您的μMLA
兩種曝光模式
μMLA可以讓你選擇光柵掃描曝光模式和矢量模式，或者甚至在同一個系統上運行曝光模式! 光柵掃描曝光模式快速，并提供良好的圖像質量和保真度，而寫入時間獨立于結構尺寸或圖案密度。矢量掃描模式可以幫助暴露由曲線組成的設計，當需要平滑的輪廓。雖然矢量模式產生的圖像質量與光柵掃描曝光模式相似，但它不能達到同樣的寫入速度，特別是對于高填充系數的模式。
A Choice of Wavelengths 波長的選擇
因此，你可以在一個系統上使用多達三個不同波長(LED和/或激光二極管)。
Variable Resolution 可變分辨率
我們新開發的可變分辨率函數允許您為一個部分的編寫模式選擇三種不同的分辨率。只需在軟件菜單中選擇解決方案，并為您的應用程序優化參數。
The Surface at One Glance
可選的概述相機提供了一種簡單的方法來定位對準標記或其他特征感興趣的基板上。
Small Sample Handling 小樣本處理
小樣品處理是直接與μMLA: 光學自動對焦選項允許準確曝光，直到樣品的邊緣。
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